- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359410 > VP1310 (ELAN Microelctronics Corp .) P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-100V,25Ω，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | VP1310 |
| 廠商： | ELAN Microelctronics Corp . |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-100V,25Ω，P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | P通道增強(qiáng)模式垂直的DMOS場效應(yīng)管（擊穿電壓- 100V的，25Ω，P溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | VP1310 |
7-253
9
Typical Performance Curves
VP1304/VP1306/VP1310
-8V
Output Characteristics
Saturation Characteristics
Maximum Rated Safe Operating Area
-0.1
-1.0
-10
-0.01
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.5
0.001
10
0.01
0.1
1.0
Transconductance vs. Drain Current
0.1
0
0
-1.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
0
150
100
50
125
75
25
0
-10
-20
V
DS
(volts)
-30
-50
-40
0
-2
-4
V
DS
(volts)
-6
-10
-8
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-6V
-3V
-4V
-8V
-6V
-4V
-3V
0
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.2
-0.1
-100
-10
-1.0
Power Dissipation vs. Ambient Temperature
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
TO-92
TO-92 (pulsed)
TO-92 (DC)
I
D
I
D
VGS
= -10V
VGS
= -10V
G
F
I
D
(amperes)
T
C
(
°
C)
P
D
V
DS
(volts)
I
D
t
p
(seconds)
T
A
= 125
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= -55
°
C
V
DS
= -25V
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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