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參數(shù)資料
| 型號： | VP0120 |
| 廠商： | Supertex, Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| 中文描述： | P通道增強模式垂直的DMOS場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | VP0120 |
7-226
VP0120
Typical Performance Curves
Gate Drive Dynamic Characteristics
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
Transfer Characteristics
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
80
60
40
20
0
C
BV
DSS
Variation with Temperature
0
-10
-20
-30
-40
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
100
150
1.10
1.06
1.02
0.98
0.94
0.90
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
-50
0
50
100
150
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
V
DS
= -25V
T
A
= -55
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 125
°
C
f = 1MHz
-10
-8
-6
-4
-2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
100 pF
V
DS
= -40V
V
DS
= -10V
50pF
100
80
60
40
20
0
-1.5
-0.3
-0.6
-0.9
-1.2
V
GS
= -5V
V
GS
= -10V
0
0
0
V
(th)
@ -1.0mA
R
DS(ON)
@ -10V, -100mA
R
DS(ON)
@ -5V, -50mA
1.25
1.0
0.75
100 pF
R
D
B
D
T
j
(
°
C)
I
D
(amperes)
T
j
(
°
C)
V
G
(
V
GS
(volts)
I
D
R
D
(
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
V
DS
(volts)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
– OBSOLETE –
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VP0204N2 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| VP0204N5 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VP0204N6 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array |
| VP0216N2 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| VP01A24A10 | 制造商:Hamlin Electronics 功能描述: |
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