參數(shù)資料
型號： VNI4140K
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 14.5 to 15.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: DO-35
中文描述： 四高端智能功率固態(tài)繼電器
文件頁數(shù)： 7/23頁
文件大?。?/td> 508K
代理商： VNI4140K
VNI4140K
Electrical characteristics
7/23
Table 6.
Logical input
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
IL
Input low level voltage
0.8
V
V
IH
Input high level voltage
2.20
V
V
I(HYST)
Input hysteresis
voltage
0.15
V
I
IN
Input current
V
IN
= 15 V
10
μΑ
V
IN
= 36 V
210
Table 7.
Protection and diagnostic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
v
STAT
Status voltage
output low
I
STAT
= 1.6 mA
0.6
V
V
USD
Undervoltage
protection
7
10.5
V
V
USDHYS
Undervoltage
hysteresis
0.4
0.5
V
I
LIM
DC short circuit
current
V
CC
= 24 V; R
LOAD
< 10 m
0.7
1
1.7
A
I
PEAK
Maximum DC output
Current
Dynamic load
1.3
A
Hyst
Traking limits
0.2
A
I
LSTAT
Status leakage current V
CC
= V
STAT
= 36 V
30
μΑ
T
TSD
Junction shut down
temperature
150
170
190
°C
T
R
Junction reset
temperature
135
°C
T
HIST
Junction thermal
hysteresis
7
15
°C
T
CSD
Case shut-down
temperature
125
130
135
°C
T
CR
Case reset
temperature
110
°C
T
CHYST
Case thermal
hysteresis
7
15
°C
V
demag
Output voltage at
turn-OFF
I
OUT
= 0.5 A; L
LOAD
>= 1 mH
V
CC
-
41
V
CC
-
45
V
CC
-
52
V
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PDF描述
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