參數(shù)資料
型號： VND600SP13TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
中文描述： 雙通道高側(cè)固態(tài)繼電器
文件頁數(shù)： 9/18頁
文件大?。?/td> 195K
代理商： VND600SP13TR
9/18
VND600SP
1
μ
C I/Os PROTECTION:
If a ground protection network is used and negative
transient are present on the V
line, the control pins will
be pulled negative. ST suggests to insert a resistor (R
prot
)
in line to prevent the
μ
C I/Os pins to latch-up.
The value of these resistors is a compromise between the
leakage current of
μ
C and the current required by the
HSD I/Os (Input levels compatibility) with the latch-up limit
of
μ
C I/Os.
-V
CCpeak
/I
latchup
≤
R
prot
≤
(V
OH
μ
C
-V
IH
-V
GND
) / I
IHmax
Calculation example:
For V
CCpeak
= - 100V and I
latchup
≥
20mA; V
OH
μ
C
≥
4.5V
5k
≤
R
prot
≤
65k
.
Recommended R
prot
value is 10k
.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
min.Tj=-40°C
max.Tj=-40°C
min.Tj=25...150°C
max.Tj=25...150°C
typical value
Figure 3:
I
OUT
/I
SENSE
versus I
OUT
I
OUT
/I
SENSE
I
OUT
(A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND600PEP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND600PEP13TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND7N04 "OMNIFET": Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護(hù)功率MOSFET)
VND810SP13TR 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
VND810 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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VND600SP-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-10
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VND600TR-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 DBLE CH HI-SIDE DRVR RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND610SP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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