參數(shù)資料
型號(hào)： VND600SP13TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
中文描述： 雙通道高側(cè)固態(tài)繼電器
文件頁(yè)數(shù)： 12/18頁(yè)
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代理商： VND600SP13TR
12/18
VND600SP
Maximum turn off current versus load inductance
A = Single Pulse at T
Jstart
=150oC
B= Repetitive pulse at T
Jstart
=100oC
C= Repetitive Pulse at T
Jstart
=125oC
Conditions:
V
CC
=13.5V
Values are generated with R
L
=0
In case of repetitive pulses, T
jstart
(at beginning of each demagnetization) of every pulse must not exceed
the temperature specified above for curves B and C.
V
IN
, I
L
t
Demagnetization
Demagnetization
Demagnetization
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
L(mH)
I
LMAX (A)
A
B
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND600PEP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND600PEP13TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND7N04 "OMNIFET": Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET)
VND810SP13TR 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
VND810 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND600SP-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 36V 25A Hi-Side SSR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND600SP-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-10
VND600SPTR-E 功能描述:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 36V 25A Hi-Side SSR RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開(kāi)啟電阻（最大值）:85 mOhms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND600TR-E 功能描述:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 DBLE CH HI-SIDE DRVR RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開(kāi)啟電阻（最大值）:85 mOhms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND610SP 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
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