- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359401 > VN2450 (ELAN Microelctronics Corp .) N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓500V,13Ω，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VN2450 |
| 廠商： | ELAN Microelctronics Corp . |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓500V,13Ω，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管垂直的DMOS（擊穿電壓的500V，13Ω，?溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | VN2450 |
4
VN2450
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100
FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
01/05/00
Typical Performance Curves
B
TJ (
°
C)
BV
DSS
Variation with Temperature
Power Dissipation vs. Case Temperature
P
TC (
°
C)
I
VDS (Volts)
Maximum Rated Safe Operating Area
Capacitance vs. Drain Source Voltage
C
VDS (volts)
-50
0
50
100
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
150
0
50
75
100
125
150
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
25
TO-92
SOT-89
TO-92
SOT-89
SOT-89 (pulsed)
TO-92 (pulsed)
TC = 25
°
C
0.01
0.1
1.0
0.001
1
1000
100
10
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.001
10
0.01
0.1
1.0
SOT-89
P
D
= 1.6W
T
C
= 25
°
C
0
t
p
(seconds)
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25
°
C
0
10
20
30
40
0
75
150
225
300
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q (nanocoulombs)
V
G
(
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
2
4
6
8
10
VDS=10V
VDS=40V
f = 1MHz
CISS
COSS
CRSS
ID = 0.5A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN2450 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VN2450N3 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VN2450N8 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VN2450NW | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VN2460N3 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VN2450N3 | 功能描述:MOSFET 500V 13Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN2450N3-G | 功能描述:MOSFET 500V 13Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN2450N3-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
| VN2450N3-G P003 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
| VN2450N3-G P005 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
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