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參數(shù)資料
| 型號： | VN2010L |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
| 中文描述： | N溝道增強型MOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | VN2010L |
VN2010L/BS107
Vishay Siliconix
Document Number: 70215
S-04279
—
Rev. C, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-3
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
–
Drain Current (A)
T
J
–
Junction Temperature ( C)
28
0
4
8
12
16
20
24
20
16
0
12
8
4
I
D
= 500 mA
50 mA
250 mA
12.5
10.0
7.5
0
0
0.2
1.0
5.0
2.5
0.4
0.6
0.8
V
GS
= 10 V
0.5
0
1
2
3
4
5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
V
GS
= 10 V
5 V
4 V
3 V
2 V
6 V
50
0
0.4
40
30
20
10
0
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
= 2.2 V
2.0 V
1.8 V
1.6 V
1.4 V
0.6 V
1.2 V
1.0 V
500
400
300
0
5
200
100
0
1
2
3
4
25 C
125 C
V
DS
= 15 V
T
J
=
–
55 C
2.25
2.00
1.75
0.50
–
50
–
10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
V
GS
= 4.5 V
10 mA
I
D
–
I
D
–
I
D
–
r
D
–
r
D
–
r
D
–
(
N
I
D
= 50 mA
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