參數(shù)資料
型號(hào)： VN0808LS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
中文描述： N溝道80 -和90 - V（下局副局長(zhǎng)）的MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： VN0808LS
VN0808L/LS, VQ1006P
Vishay Siliconix
www.vishay.com
11-4
Document Number: 70214
S-04279
—
Rev.D, 16-Jul-01
Threshold Region
Capacitance
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
–
Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
–
Total Gate Charge (pC)
125
100
75
0
0
10
50
50
25
20
30
40
C
oss
C
iss
C
rss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
10
1
0.01
0.5
0.1
1.0
1.5
2.0
25 C
–
55 C
125 C
V
DS
= 5 V
T
J
= 150 C
15.0
12.5
10.0
0
0
100
500
7.5
5.0
200
300
400
2.5
I
D
= 1.0 A
V
DS
= 45 V
72 V
0.1
1
2
100
10
1
V
DD
= 25 V
R
L
= 23
V
GS
= 0 to 10 V
I
D
= 1.0 A
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1
100
10
1 K
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
I
D
–
C
–
V
G
–
t
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN0808M TRANSISTOR MOSFET TO 92 E LINE TO 237
VN0808 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓80V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
VN0808 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN0808L N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN101501 Magnetically activated digital vane switch in a rugged, overmolded plastic housing with three pins or 3-wire harness
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參數(shù)描述
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