參數(shù)資料
型號(hào): VII50-12P1
廠商: IXYS CORP
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: IGBT Modules
中文描述: 49 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ECOPAC-12
文件頁(yè)數(shù): 4/4頁(yè)
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代理商: VII50-12P1
2003 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
VDI
50-12P1
VID
50-12P1
VII
50-12P1
VIO
50-12P1
3
B3
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current times
versus collector current
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
Fig. 10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor times
versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
Fig. 12
Typ. transient thermal impedance
RBSOA
0
20
40
I
C
60
0
5
10
15
0
50
100
150
0
20
40
60
0
4
8
12
0
200
400
600
0,000010,0001 0,001
0,01
0,1
1
10
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
10
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
0
200
400
600
800
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
0
40
80
120
160
single pulse
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 47
T
VJ
= 125°C
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
V
CE
0
20
40
60
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 47
T
VJ
= 125°C
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
A
I
C
A
E
off
E
on
t
t
R
G
R
G
t
s
mJ
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
A
mJ
ns
ns
mJ
42T120
42T120
42T120
42T120
42T120
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 25 A
T
VJ
= 125°C
R
G
= 47
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 25 A
T
VJ
= 125°C
MDI...50-12P1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VINCENT CIGAR LIGHTER ADAPTER
VIO500-12S TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C)
VIO600-12S TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C)
VIPER100(022Y)
VIPER50A(022Y)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VII50-12S1 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 73A I(C)
VII50-12S3 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
VII75-06P1 功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
VII75-12G3 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C)
VII75-12P1 功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B