參數(shù)資料
型號(hào)： VII50-06P1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CONN/6 POS HDR SHRD SGL RA LK
中文描述： 42.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECOPAC-12
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 155K
代理商： VII50-06P1
2003 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
VDI
50-06P1
VID
50-06P1
VII
50-06P1
VIO
50-06P1
B3
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
times
versus collector current
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
Fig. 10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
times
versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
Fig. 12
Typ. transient thermal impedance
RBSOA
0
20
40
60
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
0
20
40
60
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
100
200
300
400
0,000010,0001 0,001
0,01
0,1
1
10
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
10
0
10
20
30
40
50
R
G
60
70
80
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
100
200
300
400
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
20
40
60
80
single pulse
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 33
T
VJ
= 125°C
VDI...50-06P1
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
I
C
= 30A
T
VJ
= 125°C
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
700
0
20
40
60
80
R
G
= 33
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 33
T
VJ
= 125°C
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
E
off
E
on
t
t
R
G
t
s
mJ
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
V
A
mJ
ns
ns
mJ
25T60
25T60
25T60
25T60
25T60
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 30 A
T
VJ
= 125°C
diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VII50-12G3 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
VII50-12S1 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 73A I(C)
VII50-12P1 IGBT Modules
VINCENT CIGAR LIGHTER ADAPTER
VIO500-12S TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VII50-12G3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
VII50-12P1 功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
VII50-12S1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 73A I(C)
VII50-12S3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
VII75-06P1 功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*