參數(shù)資料
型號： VID125-12P1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT Modules
中文描述： 138 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECOPAC-13
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： VID125-12P1
2003 IXYS All rights reserved
4 - 4
VID
125-12P1
VIO
125-12P1 VDI
125-12P1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
B3
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
50
100
150
0
10
20
30
40
0
40
80
120
160
0
50
100
150
0
5
10
15
20
0
200
400
600
800
0,00001 0,0001
0,001
0,01
0,1
1
0,00001
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
0
8
16
24
32
40
48
56
0
5
10
15
20
25
mJ
0
400
800
1200
1600
2000
ns
0
8
16
24
32
40
48
56
0
5
10
15
20
25
mJ
0
40
80
120
160
200
ns
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 15
T
J
= 125°C
VID...125-12P1
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
J
= 125°C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
40
80
120
160
200
R
G
= 15
T
J
= 125°C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 15
T
J
= 125°C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 75A
T
J
= 125°C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
mJ
E
off
mJ
E
on
ns
t
ns
t
R
G
R
G
t
s
E
on
E
off
t
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
A
121T120
121T120
121T120
121T120
121T120
相關PDF資料
PDF描述
VID130-06P1 IGBT Modules
VII50-06P1 CONN/6 POS HDR SHRD SGL RA LK
VII50-12G3 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
VII50-12S1 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 73A I(C)
VII50-12P1 IGBT Modules
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VID125-12S4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C)
VID130-06P1 功能描述:MOD IGBT BOOST/CHOP 600V ECOPAC2 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
VID150-12S4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)
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VID25-06P1 功能描述:MOD IGBT BOOST/CHOP 600V ECOPAC2 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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