- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄359378 > vhb2512f (Advanced Semiconductor, Inc.) 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | vhb2512f |
| 廠(chǎng)商： | Advanced Semiconductor, Inc. |
| 元件分類(lèi)： | 振蕩器 |
| 英文描述： | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述： | 14引腳DIP封裝，5.0伏，高速CMOS/TTL電平，時(shí)鐘振蕩器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 14K |
| 代理商： | VHB2512F |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. B
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25 °C
SYMBOL
BV
CEO
I
C
= 50 mA
BV
CES
I
C
= 15 mA
BV
EBO
I
E
= 5.0 mA
I
CBO
V
CB
= 15 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 250 mA
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
18
UNITS
V
V
V
mA
---
36
4.0
5.0
20
---
C
OB
V
CB
= 12.5 V f = 1.0 MHz
110
pF
P
G
η
C
V
CE
= 12.5 V P
OUT
= 25 W f = 175 MHz
10
60
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
VHB25-12F
DESCRIPTION:
The
ASI VHB25-12F
is Designed for
Class C, 12.5 V High Band Applications
up to 175 MHz.
FEATURES:
Common Emitter
P
G
= 10 dB at 25 W/175 MHz
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
4.0 A
V
CBO
36 V
V
CEO
18 V
V
EBO
4.0 V
P
DISS
65 W @ T
C
= 25 °C
T
J
-65 °C to +200 °C
T
STG
-65 °C to +150 °C
θ
JC
3.5 °C/W
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
ORDER CODE: ASI10714
MINIMUM
inches / mm
.970 / 24.64
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
inches / mm
.385 / 9.78
.980 / 24.89
H
.160 / 4.06
.180 / 4.57
DIM
.220 / 5.59
.230 / 5.84
.105 / 2.67
.085 / 2.16
I
J
.240 / 6.10
.255 / 6.48
.785 / 19.94
F
B
G
.125
.125 NOM.
FULL R
D
E
C
H
.112 x 45°
A
I
J
.004 / 0.10
.006 / 0.15
.280 / 7.11
.720 / 18.29
.730 / 18.54
C
B
E
E
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VHB40-12F | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| VHB40-12S | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| VHB40-28F | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| VHB40-28S | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| VHB50-28F | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:6.5 A,Vcbo: 65 V,Vceo: 35 V,Vebo: 4.0 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:6.5 A,Vcbo: 65 V,Vceo: 35 V,Vebo: 4.0 V)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| VHB25-12F | 制造商:ASI 制造商全稱(chēng):ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| VHB25-12F_07 | 制造商:ASI 制造商全稱(chēng):ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| VHB25-12S | 制造商:ASI 制造商全稱(chēng):ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| VHB25-12S_07 | 制造商:ASI 制造商全稱(chēng):ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| VHB25-28F | 制造商:ASI 制造商全稱(chēng):ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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