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參數(shù)資料
| 型號： | V62C218256 |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 2.3 Volt 32K X 8 Static RAM(2.3V 32Kx8靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 2.3伏特32K的× 8靜態(tài)存儲器（靜態(tài)內存為2.3V 32Kx8） |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | V62C218256 |
6
V62C218256 Rev. 1.3 February 1999
MOSEL V ITELIC
V62C218256
AC Electrical Characteristics
(over all temperature ranges)
Read Cycle
Write Cycle
Parameter
Name
Parameter
-35
-70
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
t
RC
Read Cycle Time
35
—
70
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
35
—
70
ns
t
ACS
Chip Enable Access Time
—
35
—
70
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
—
15
—
30
ns
t
CLZ
Chip Enable to Output in Low Z
5
—
5
—
ns
t
OLZ
Output Enable to Output in Low Z
5
—
5
—
ns
t
CHZ
Chip Disable to Output in High Z
0
20
0
20
ns
t
OHZ
Output Disable to Output in High Z
0
20
0
20
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
5
—
5
—
ns
Parameter
Name
Parameter
-35
-70
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
t
WC
Write Cycle Time
35
—
70
—
ns
t
CW
Chip Enable to End of Write
35
—
70
—
ns
t
AS
Address Setup Time
0
—
0
—
ns
t
AW
Address Valid to End of Write
35
—
70
—
ns
t
WP
Write Pulse Width
25
—
50
—
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
—
0
—
ns
t
WHZ
Write to Output High-Z
0
20
0
25
ns
t
DW
Data Setup to End of Write
25
—
30
—
ns
t
DH
Data Hold from End of Write
0
—
0
—
ns
t
OHZ
Output Disable to Output in High Z
0
25
0
30
ns
t
OW
Output Active from End of Write
5
—
5
—
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V62C2184096 | 512K X 8, CMOS STATIC RAM |
| V62C2801024L-100T | Ultra Low Power 128K x 8 CMOS SRAM |
| V62C2801024LL-85V | Ultra Low Power 128K x 8 CMOS SRAM |
| V62C2801024L | Ultra Low Power 128K x 8 CMOS SRAM |
| V62C2801024L(L)-100B | Ultra Low Power 128K x 8 CMOS SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V62C2184096 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:512K X 8, CMOS STATIC RAM |
| V62C256D10L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| V62C256D10LI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| V62C256D12L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| V62C256D12LI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
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