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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V62C2164096 |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 256K x 16, 0.17 um CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K × 16，0.17微米的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | V62C2164096 |
MOSEL VITELIC
V62C2164096
5
V62C2164096 Rev. 1.0 November 2001
Data Retention Characteristics
NOTES:
1.
2.
t
RC
= Read Cycle Time
T
A
= +25
°
C.
Low V
CC
Data Retention Waveform (CE Controlled)
Symbol
Parameter
Power
Min.
Typ.
(2)
Max.
Units
V
DR
V
CC
for Data Retention
CE
1
≥
V
CC
–
0.2V, CE
2
< 0.2V, V
IN
≥
V
CC
–
0.2V,
or V
IN
≤
0.2V
1.2
—
3.0
V
I
CCDR
Data Retention Current
CE
1
≥
V
DR
–
0.2V, CE
2
< 0.2V, V
IN
≥
V
CC
–
0.2V,
or V
IN
≤
0.2V, V
DR
= 1.2V
Com
’
l
L
—
1
3
μ
A
LL
—
0.5
2
Ind.
L
—
—
5
LL
—
—
4
t
CDR
Chip Deselect to Data Retention Time
0
—
—
ns
t
R
Operation Recovery Time (see Retention Waveform)
t
RC(1)
—
—
ns
V
CC
Data Retention Mode
CE
1
≥
V
CC
–
0.2V
CE
1
2.0V
2.0V
2.3V
t
CDR
t
R
V
DR
≥
1.2V
2.3V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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