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參數(shù)資料
| 型號： | V62C18164096L |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 256K x 16, CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K × 16，的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | V62C18164096L |
MOSEL V ITELIC
V62C18164096
5
V62C18164096 Rev. 1.2 June 2000
Data Retention Characteristics
NOTES:
1.
2.
t
RC
= Read Cycle Time
T
A
= +25
°
C.
Low V
CC
Data Retention Waveform (CE Controlled)
Symbol
Parameter
Power
Min.
Typ.
(2)
Max.
Units
V
DR
V
CC
for Data Retention
CE
1
≥
V
CC
–
0.2V, CE
2
< 0.2V, V
IN
≥
V
CC
–
0.2V,
or V
IN
≤
0.2V
1.0
—
2.3
V
I
CCDR
Data Retention Current
CE
1
≥
V
DR
–
0.2V, CE
2
< 0.2V, V
IN
≥
V
CC
–
0.2V,
or V
IN
≤
0.2V, V
DR
= 1.0V
Com
’
l
L
—
1
3
μ
A
LL
—
0.5
1.5
Ind.
L
—
—
5
LL
—
—
2
t
CDR
Chip Deselect to Data Retention Time
0
—
—
ns
t
R
Operation Recovery Time (see Retention Waveform)
t
RC(1)
—
—
ns
V
CC
Data Retention Mode
CE
1
≥
V
CC
–
0.2V
CE
1
1.6V
1.6V
1.8V
t
CDR
t
R
V
DR
≥
1V
1.8V
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