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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UT8Q1024K8-UPA |
| 廠商： | Aeroflex Inc. |
| 英文描述： | high-performance 1M byte (8Mbit) CMOS static RAM |
| 中文描述： | 高性能1M字節(jié)（8Mbit）的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 238K |
| 代理商： | UT8Q1024K8-UPA |
10
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (Pre/Post-Irradiation)
(1 Second Data Retention Test)
SYMBOL
Notes:
1. En =
V
DD
- .2V, all other inputs = V
DR
or V
SS
.
2. Data retention current (I
DDR
) Tc = 25
o
C.
3. Not guaranteed or tested.
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (Pre/Post-Irradiation)
(10 Second Data Retention Test, T
C
=-40
o
C to +125
o
C)
SYMBOL
Notes:
1. Performed at V
DD
(min) and V
DD
(max).
2. En =
V
SS
, all other inputs = V
DR
or V
SS
.
3. Not guaranteed or tested.
PARAMETER
MINIMUM
MAXIMUM
UNIT
V
DR
V
DD
for data retention
2.0
--
V
I
DDR
1,2
Data retention current (per byte)
--
4.0
mA
t
EFR1,3
Chip select to data retention time
0
ns
t
R
1,3
Operation recovery time
t
AVAV
ns
PARAMETER
MINIMUM
MAXIMUM
UNIT
V
DD
1
V
DD
for data retention
3.0
3.6
V
t
EFR
2, 3
Chip select to data retention time
0
ns
t
R
2, 3
Operation recovery time
t
AVAV
ns
V
DD
DATA RETENTION MODE
t
R
50%
50%
V
DR
>
2.0V
Figure 7. Low V
DD
Data Retention Waveform
t
EFR
En
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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