- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361591 > uPSD3234BV-40T1T (意法半導體) POWERLINE: RP30-S_DEW - 4:1 Wide Input Voltage Range- 30 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x40.6x10.2mm Package- Efficiency to 88% PDF資料下載
參數資料
| 型號： | uPSD3234BV-40T1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | POWERLINE: RP30-S_DEW - 4:1 Wide Input Voltage Range- 30 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x40.6x10.2mm Package- Efficiency to 88% |
| 中文描述： | 閃存可編程系統設備與8032微控制器內核 |
| 文件頁數： | 157/170頁 |
| 文件大?。?/td> | 2717K |
| 代理商： | UPSD3234BV-40T1T |
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uPSD3234A, uPSD3234BV, uPSD3233B, uPSD3233BV
Table 134. Program, WRITE and Erase Times (5V Devices)
Symbol
Note: 1. Programmed to all zero before erase.
2. The polling status, DQ7, is valid t
Q7VQV
time units before the data byte, DQ0-DQ7, is valid for reading.
Table 135. Program, WRITE and Erase Times (3V Devices)
Symbol
Note: 1. Programmed to all zero before erase.
2. The polling status, DQ7, is valid t
Q7VQV
time units before the data byte, DQ0-DQ7, is valid for reading.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Flash Program
8.5
s
Flash Bulk Erase
(1)
(pre-programmed)
3
30
s
Flash Bulk Erase (not pre-programmed)
5
s
t
WHQV3
Sector Erase (pre-programmed)
1
30
s
t
WHQV2
Sector Erase (not pre-programmed)
2.2
s
t
WHQV1
Byte Program
14
150
μs
Program / Erase Cycles (per Sector)
100,000
cycles
t
WHWLO
Sector Erase Time-Out
100
μs
t
Q7VQV
DQ7 Valid to Output (DQ7-DQ0) Valid (Data Polling)
(2)
30
ns
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Flash Program
8.5
s
Flash Bulk Erase
(1)
(pre-programmed)
3
30
s
Flash Bulk Erase (not pre-programmed)
5
s
t
WHQV3
Sector Erase (pre-programmed)
1
30
s
t
WHQV2
Sector Erase (not pre-programmed)
2.2
s
t
WHQV1
Byte Program
14
150
μs
Program / Erase Cycles (per Sector)
100,000
cycles
t
WHWLO
Sector Erase Time-Out
100
μs
t
Q7VQV
DQ7 Valid to Output (DQ7-DQ0) Valid (Data Polling)
(2)
30
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