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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD46128512-E10X |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 128兆位CMOS移動(dòng)指明內(nèi)存800萬字由16位溫度范圍 |
| 文件頁數(shù)： | 40/82頁 |
| 文件大小： | 817K |
| 代理商： | UPD46128512-E10X |
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Preliminary Data Sheet M17507EJ2V0DS
40
μ
PD46128512-X
Figure 7-5. Asynchronous Read Cycle Timing Chart 3 (/CE1 Controlled)
/CE1 (Input)
Address (Input)
Data Out Q2
DQ (Output)
High-Z
High-Z
High-Z
t
RC
/OE (Input)
L
L
Data Out Q1
t
RC
t
ACE
t
ACE
t
CP
A1
A2
A3
t
CP
t
CLZ
t
CLZ
t
CHZ
t
CHZ
t
CHAH
t
CHAH
/LB, /UB (Input)
t
ASC
t
ASC
Cautions 1. In read cycle, CE2 and /WE should be fixed HIGH.
2. /ADV should be fixed LOW or toggled HIGH
→
LOW
→
HIGH. CLK should be fixed HIGH or LOW.
Figure 7-6. Asynchronous Read Cycle Timing Chart 4 (/OE Controlled)
/CE1 (Input)
Address (Input)
Data Out Q2
DQ (Output)
High-Z
High-Z
High-Z
t
RC
/OE (Input)
t
ASO
Data Out Q1
t
OE
t
RC
t
AA
t
ASO
t
OE
t
ASO
t
OP
t
OP
A1
A2
A3
t
OHZ
t
OLZ
t
OHZ
t
OLZ
t
OHAH
t
OHAH
t
AA
/LB, /UB (Input)
L
Cautions 1. In read cycle, CE2 and /WE should be fixed HIGH.
2. /ADV should be fixed LOW or toggled HIGH
→
LOW
→
HIGH. CLK should be fixed HIGH or LOW.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD46128512-E11X | 128M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 8M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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