參數(shù)資料
型號： UPA893TD-T3
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-363VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|一對|叩| 6V的五（巴西）總裁| 35MA一（c）|的SOT - 363VAR
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： UPA893TD-T3
Data Sheet P15570EJ1V0DS
13
μ
PA891TC
V
CE
= 2 V, I
C
= 7 mA, Z
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= 50
Frequency
(GHz)
MAG.
S
11
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5.41
3.64
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PDF描述
UPAAA-3000 TASTKODIERSCHALTER DEZIMAL
PAPA3000 TASTKODIERSCHALTER PLUS MINUS
UPACA-3000 TASTKODIERSCHALTER BCD
UPB100484D-10 x4 SRAM
UPB1003GS-E1 Downconverter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA895TD 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TD-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TD-T3 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TS-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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