參數(shù)資料
型號(hào)： UPA893TD-T3
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-363VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 6V的五（巴西）總裁| 35MA一（c）|的SOT - 363VAR
文件頁(yè)數(shù)： 1/16頁(yè)
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代理商： UPA893TD-T3
DATA SHEET
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Document No. P15570EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
2001
NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
μ
PA891TC
NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS)
IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUMER MINIMOLD
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
FEATURES
Built-in low phase distortion transistor suited for OSC operation
f
T
= 5.0 GHz TYP.,
S
21e
Built-in 2 transistors (2
×
2SC5600)
Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package
2
= 4.0 dB TYP. @ V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
BUILT-IN TRANSISTORS
Q1, Q2
3-pin thin-type ultra super minimold part No.
2SC5600
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
μ
PA891TC
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
μ
PA891TC-T1
3 kpcs/reel
Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q2 Emitter), Pin 4 (Q2 Base)
face the perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.
Unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
V
CBO
9
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
5.5
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
1.5
V
Collector Current
I
C
100
mA
Total Power Dissipation
P
tot
Note
200 in 1 element
230 in 2 elements
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +150
°
C
Note
Mounted on 1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) glass epoxy substrate
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPAAA-3000 TASTKODIERSCHALTER DEZIMAL
PAPA3000 TASTKODIERSCHALTER PLUS MINUS
UPACA-3000 TASTKODIERSCHALTER BCD
UPB100484D-10 x4 SRAM
UPB1003GS-E1 Downconverter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA895TD 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TD-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TD-T3 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TS-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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