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參數(shù)資料
| 型號： | UPA863TD-T3 |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | UPA863TD-T3 |
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Data Sheet P15734EJ1V0DS
5
μ
PA863TC
Q1
Q2
V
CE
= 1 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
= 1 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
= 2 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
= 2 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA871TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA871TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA872TD | Discrete |
| UPA872TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363VAR |
| UPA873TC | Discrete |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA863TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Silicon Amp/Oscilltr Twin/Dual Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA871TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA871TD-T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP |
| UPA872TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA872TD-T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363VAR |
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