參數(shù)資料
型號(hào)： UPA861TC
英文描述： Discrete
中文描述： 離散
文件頁(yè)數(shù)： 10/28頁(yè)
文件大?。?/td> 142K
代理商： UPA861TC
Data Sheet P15734EJ1V0DS
10
μ
PA863TC
Q2
V
CE
= 2 V
I
C
= 15 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
I
2
|
2
M
M
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S
21e
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA863TD Discrete
UPA863TD-T3 BJT
UPA871TD TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA871TD-T3 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA872TD Discrete
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參數(shù)描述
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UPA861TD-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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UPA861TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA862TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
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