參數(shù)資料
型號(hào)： UPA651
英文描述： UPA651TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002]
中文描述： UPA651TT數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[05/2002]
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 75K
代理商： UPA651
Data Sheet G16202EJ1V0DS
4
μ
PA650TT
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
D
0
5
10
15
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Pulsed
1.8 V
1.5 V
2.5 V
V
GS
=
4.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
D
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
=
10 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
G
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
-50
0
50
100
150
V
DS
=
10 V
I
D
=
1 mA
f
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
T
A
= 75°C
125°C
V
DS
=
10 V
Pulsed
T
A
=
25°C
25°C
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0.1
1
10
100
V
GS
=
4.5 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0.1
1
10
100
V
GS
=
2.5 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
D
I
D
- Drain Current - A
D
I
D
- Drain Current - A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA652 UPA652TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002]
UPA650TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA814TF BJT
UPA81 UPA81C Data Sheet | Data Sheet[02/1982]
UPA814TF-T1 BJT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA651TT 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA651TT-E1-A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA651TT-E2-A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA652 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA652TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002]
UPA652TT 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
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