參數(shù)資料
型號： UPA650TT
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 75K
代理商： UPA650TT
Data Sheet G16202EJ1V0DS
5
μ
PA650TT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0.1
1
10
100
V
GS
=
1.8 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
Pulsed
I
D
=
2.5 A
D
I
D
- Drain Current - A
D
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
0
50
100
150
Pulsed
I
D
=
2.5 A
V
GS
=
1.8 V, I
D
=
1.5 A
4.5 V
2.5 V
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
i
,
o
,
r
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
C
iss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
V
DD
=
6.0 V
V
GS
=
4.0 V
R
G
= 10
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
I
D
- Drain Current - A
G
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
I
D
=
5.0 A
V
DD
=
10 V
6.0 V
2.0 V
Q
G
- Gate Charge - nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA814TF BJT
UPA81 UPA81C Data Sheet | Data Sheet[02/1982]
UPA814TF-T1 BJT
UPA814TKB TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363
UPA814T-T1 BJT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA650TT-E1-A 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA650TT-E2-A 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA651 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA651TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002]
UPA651TT 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA651TT-E1-A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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