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參數(shù)資料
| 型號： | UPA2712GR |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開關(guān)的P -溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | UPA2712GR |
Data Sheet G15980EJ2V0DS
3
μ
PA2712GR
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
d
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
P
T
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Mounted on ceramic substrate of
1200 mm
2
x 2.2 mm
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
- 100
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
- 100
I
D(pulse)
10 ms
Power Dissipation Limited
I
D(DC)
PW = 100
μ
s
1 ms
R
DS(on)
Limited
(at V
GS
= 10 V)
100 ms
T
A
= 25°C
Single Pulse
Mounted on ceramic substrate of
1200 mm
2
x 2.2 mm
DC
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
°
C
0.01
0.1
1
10
100
1000
R
th(ch-A)
= 62.5°C/W
Single Pulse
Mounted on ceramic substrate of 1200 mm
2
x 2.2 mm
T
A
= 25°C
PW - Pulse Width - s
100
μ
1 m
10 m
10
100
1000
#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2713GR | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2714GR | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2781GR | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET/SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| UPA502T | N-CHANNEL MOS FET 5-PIN 2 CIRCUITS |
| UPA503T | P-CHANNEL MOSFET (5-PIN 2 CIRCUITS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA2712GR-E1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V -10A 13m@10V 8SOP Cut Tape |
| UPA2713 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA2713GR Data Sheet | Data Sheet[01/2002] |
| UPA2713GR | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2713GR-E1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V -8A 16m@10V 8SOP Cut Tape |
| UPA2714 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA2714GR Data Sheet | Data Sheet[11/2002] |
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