- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378729 > UP04979 (PANASONIC CORP) Silicon N-channel MOSFET (Tr1) Silicon P-channel MOSFET (Tr2) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UP04979 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon N-channel MOSFET (Tr1) Silicon P-channel MOSFET (Tr2) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SOD-723, SSMINI6-F1, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | UP04979 |
Composite Transistors
UP04979
Silicon N-channel MOSFET (Tr1)
Silicon P-channel MOSFET (Tr2)
1
Publication date: August 2004
SJJ00303AED
For switching
■
Features
High-speed switching
Gate protection diode built-in
Two elements incorporated into one package
(Each transistor is separated)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
2SJ0672
+
2SK3539
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 4T
Internal Connection
Unit: mm
(G2)
5
(D1)
6
(S2)
4
1
(S1)
2
(G1)
3
(D2)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Drain-source surrender
voltage
V
DSS
50
V
Gate-source voltage
(Drain open)
V
GSO
±
7
V
Drain current
I
D
I
DP
V
DSS
100
mA
Peak drain current
200
30
mA
Tr2
Drain-source surrender
voltage
V
Gate-source voltage
(Drain open)
V
GSO
±
7
V
Drain current
I
D
100
200
mA
Peak drain current
I
DP
P
T
mA
Overall
Total power dissipation
*
125
mW
Junction temperature
T
ch
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
1: Source (FET1)
2: Gate (FET1)
3: Drain (FET2)
JEDEC: SOD-723
4: Source (FET2)
5: Gate (FET2)
6: Drain (FET1)
SSMini6-F1 Package
(0.30)
0.10
±
0.02
6
5
4
1
2
3
5
5
0.20
+0.05
1
±
0
0
±
0
0
0
(
1.60
±
0.05
Display at No.1 lead
1
±
0
(
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
Note)*: Measuring on substrate at 17 mm
×
10 mm
×
1 mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA103G | HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR ARRAY |
| UPA103B-E1 | HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR ARRAY |
| UPA103 | HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR ARRAY |
| UPA103B | HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR ARRAY |
| UPA103G-E1 | HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UP0497900L | 功能描述:MOSFET N+P 50,30V .1A SSMINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UP04979G0L | 功能描述:MOSFET N+P 50V .1A SSMINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UP0-4C-100-R | 功能描述:固定電感器 TRANFORMER RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| UP0-4C-101-R | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:Ind Power Wirewound 100uH 20% 100KHz Ferrite 370mA T/R 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:IND PWR 100UH 20% 100KHZ FERRITE - Tape and Reel 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:INDUCTOR POWER 100UH 0.37A SMD 制造商:Cooper Bussmann / Coiltronics 功能描述:POWER INDUCTOR 100UH 0.37A 20% |
| UP04C150 | 制造商:COOPER 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。