參數(shù)資料
型號： UP04390
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon (NPN,PNP) epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F1, 6 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： UP04390
Composite Transistors
UP04390
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: April 2004
SJJ00288AED
For switching/digital circuits
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
UNR1114
+
UNR1213
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 3V
Internal Connection
Unit: mm
(0.30)
0.10
±
0.02
6
5
4
1
2
3
5
5
0.20
+0.05
1
±
0
0
±
0
0
0
(
1.60
±
0.05
Display at No.1 lead
1
±
0
(
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
4
Tr1
Tr2
5
6
1
3
2
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
I
CEO
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
0.5
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
0.1
mA
Forward current transfer ratio
h
FE
80
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.25
V
Output voltage high level
V
OH
4.9
V
Output voltage low level
V
OL
R
1
0.2
V
Input resistance
30%
4.7
+
30%
k
Resistance ratio
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200MHz
150
MHz
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr1
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SSMini6-F1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
50
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
mA
Overall
Total power dissipation
P
T
125
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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UP04390G0L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP04401 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UP0440100L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/PNP SS MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
UP04501 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
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