參數(shù)資料
型號： UP04316
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： For switching & For digital circuits
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F1, 6 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： UP04316
Composite Transistors
UP04316
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: December 2003
SJJ00249BED
For switching
For digital circuits
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
UNR2216
+
UNR2116
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 7U
Internal Connection
Unit: mm
(0.30)
0.10
±
0.02
6
5
4
1
2
3
5
5
0.20
+0.05
1
±
0
0
±
0
0
0
(
1.60
±
0.05
Display at No.1 lead
1
±
0
(
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
4
Tr1
Tr2
5
6
1
3
2
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
I
EBO
0.5
Emitter-base cutoff current (Collector open)
0.01
mA
Forward current transfer ratio
h
FE
160
460
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
V
OH
0.25
V
Output voltage high-level
4.9
V
Output voltage low-level
V
OL
0.2
V
Input resistance
R
1
f
T
30%
4.7
+
30%
k
Transition frequency
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
150
MHz
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr1
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SSMini6-F1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
50
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
P
T
100
mA
Overall
Total power dissipation
125
mW
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UP04390 Silicon (NPN,PNP) epitaxial planar type
UP04401 Silicon PNP epitaxial planar type
UP04501 Silicon NPN epitaxial planar type
UP04601 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
UP04878 Silicon N-channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UP0431600L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP SS MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP0431N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors
UP0431N00L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP0431NG0L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN W/RES SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
UP04390 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon (NPN,PNP) epitaxial planar type
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*