參數(shù)資料
型號: UP01212
英文描述: 複合デバイス - 複合トランジスタ
中文描述: 複合デバイス-複合トランジスタ
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 184K
代理商: UP01212
1
: 2003
6
SJJ00267BJD
UP01212
NPN
1
2
(
)
UNR2212
×
2
T
a
=
25
°
C
1 : Base (Tr1)
2 : Emitter
3 : Base (Tr2)
4 : Collector (Tr2)
5 : Collector (Tr1)
SSMini5-F2 Package
Unit : mm
: 9K
(E
)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
50
V
(B
)
50
V
(E
)
I
CBO
0.1
μ
A
μ
A
(B
)
I
CEO
I
EBO
0.5
(C
)
0.2
mA
h
FE
60
*
h
FE(Small/
0.50
0.99
Large)
V
CE(sat)
V
OH
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
0.25
V
4.9
V
V
OL
0.2
V
R
1
30%
22
+
30%
k
R
1
/ R
2
0.8
1.0
1.2
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
150
MHz
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
4
Tr1
Tr2
2
5
1
3
–0.02
0.20
(0.30)
(0.50)
1
2
3
5
4
(0.50)
1
±
0
0
±
0
0
0
1
±
0
1.00
±
0.05
1.60
±
0.05
0.10
±
0.02
(
(
5
5
(E
)
V
CBO
50
V
(B
)
V
CEO
I
C
50
V
100
mA
P
T
125
mW
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
55
+
125
) 1.
JIS C 7030
2. *: 2
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