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參數(shù)資料
| 型號： | UP01878 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | UP01878 |
1
Publication date: July 2002
SJJ00265AED
Composite Transistors
UP01878
Silicon N-channel MOSFET
For switching
■
Features
Two elements incorporated into one package
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number of Element
2SK3539
×
2 elements
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Internal Connection
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
I
D
=
10
μ
A, V
GS
=
0
V
DS
=
50
V, V
GS
=
0
V
GS
=
±
7 V, V
DS
=
0
I
D
=
1
μ
A, V
DS
=
3 V
I
D
=
10 mA, V
GS
=
2.5 V
I
D
=
10 mA, V
GS
=
4.0 V
I
D
=
10 mA, V
DS
=
4.0 V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0 V, f
=
1 MHz
50
V
Drain cut-off current
I
DSS
I
GSS
1.0
μ
A
μ
A
Gate cut-off current
±
5
Gate threshold voltage
V
th
0.9
1.2
1.5
V
Drain on-state resistance
R
DS(on)
8
15
6
12
Forward transfer admittance
Y
fs
20
60
mS
Input capacitance
C
iss
C
oss
12
pF
Output capacitance
7
pF
Reverse transfer capacitance
C
rss
3
pF
Turn-on time
*
t
on
t
off
V
DD
=
3 V, V
GS
=
0 V to 3 V, R
L
=
470
V
DD
=
3 V, V
GS
=
3 V to 0 V, R
L
=
470
200
ns
Turn-off time
*
200
ns
Marking Symbol: AL
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Rating
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSO
50
V
of
Gate to source voltage
±
7
V
element
Drain current
I
D
100
mA
Max drain current
I
DP
P
D
200
mA
Overall
Allowable power dissipation
*
125
mW
Channel temperature
T
ch
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
1: Gate (FET1)
2: Source
3: Gate (FET2)
4: Drain (FET2)
5: Drain (FET1)
SMini5-G1 Package
–0.02
0.20
(0.30)
(0.50)
1
2
3
5
4
(0.50)
0
±
0
0
0
1.00
±
0.05
1.60
±
0.05
0.10
±
0.02
Display at No.1 lead
(
5
5
1
±
0
1
±
0
(
3
4
FET1
FET2
1
2
5
Note)*: Refer to t
on
, t
off
test circuit (next page)
Note)*: Total power dissipation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UP068D01 | COLOR TFT-LCD MODULE SPECIFICATION |
| UP2B-681 | Low-Cost 100 mA High-Voltage Buck and Buck-Boost Using NCP1052 |
| UP82060 | PSU ANTEX PLUG-IN 24VAC |
| UPA101 | 12ⅴ8 CROSSPOINT SWITCH WITH CONTROL MEMORY |
| UPA101B | 12ⅴ8 CROSSPOINT SWITCH WITH CONTROL MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UP0187B00L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100MA SSMINI-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| UP01DTANLA04 | 功能描述:基本/快動開關(guān) Microswitch Snap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級:IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
| UP01DTANLB04 | 功能描述:基本/快動開關(guān) SPDT SNAP ACTION MICRO SWITCH RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級:IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
| UP01DTAOLA04 | 功能描述:基本/快動開關(guān) Microswitch Snap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級:IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
| UP01DTAOLB04 | 功能描述:基本/快動開關(guān) Microswitch Snap RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級:IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
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