參數資料
型號： UNR9214J(UN9214J)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復合裝置-內置晶體管，電阻，
文件頁數： 9/18頁
文件大?。?/td> 308K
代理商： UNR9214J(UN9214J)
UNR92XXJ Series
17
SJH00039AED
Characteristics chart of UNR921TJ
Characteristics chart of UNR921VJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
100
75
150
125
50
25
0
2.5
5
7.5
10
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
IB
= 1.0 mA
0.9 mA
Ta
= 25°C
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
10
100
10
1
100
1 000
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
IC
/ I
B
= 10
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(mV
)
Collector current I
C (mA)
0
0.1
100
400
350
250
150
50
300
200
1
10
100
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
VCE
= 10 V
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0
1
4
3
2
1
10
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage V
CB (V)
0.001
0.1
0.01
0.25
0.5
1
10
100
0.75
1.0
1.25
1.5
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
Output
current
I
O
(mA
)
Input voltage V
IN (V)
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
100
10
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
012
210
48
6
0
40
120
80
160
140
100
60
20
IB
= 1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
Ta
= 25°C
0.9 mA
0.3 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1 000
IC
/ I
B
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
240
200
160
120
80
40
1
10
100
1 000
VCE
= 10 V
25°C
Ta
= 75°C
25
°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
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PDF描述
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UPA102G 6 CHANNEL, X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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UPC2260V 5 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.8 V DROPOUT, PZFM5
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