參數(shù)資料
型號(hào)： UNR9214J(UN9214J)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁(yè)數(shù)： 3/18頁(yè)
文件大?。?/td> 308K
代理商： UNR9214J(UN9214J)
UNR92XXJ Series
11
SJH00039AED
Characteristics chart of UNR921BJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Characteristics chart of UNR921CJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
Ta
= 25°C
0
120
20
40
60
80
100
01234
56789
10
IB
= 0.5 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.1
10
1
0.1
1
10
100
IC
/ I
B
= 10
25°C
Ta
= 75°C
25
°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
0
450
50
100
150
200
250
300
350
400
1
10
100
1 000
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0
1
10
20
30
40
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage V
CB (V)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
10
1
0.1
Output
current
I
O
(mA
)
Input voltage V
IN (V)
0.1
100
0.1
1
10
100
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
1
10
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
Ta
= 25°C
0
140
120
100
80
60
40
20
024
6
8
10
IB
= 1.0 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
0.01
1
10
100
IC
/ I
B
= 10
25°C
Ta
= 75°C
25
°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
1
0
50
100
150
200
250
300
350
10
100
1 000
VCE
= 10 V
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA102B 6 CHANNEL, X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA102G 6 CHANNEL, X BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPC2260V-AZ 5 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.8 V DROPOUT, PZFM5
UPC2260V 5 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.8 V DROPOUT, PZFM5
UPC3033H-AZ 3.3 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.6 V DROPOUT, PSFM4
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參數(shù)描述
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UNR9215J 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
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