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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR9214 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 416 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 259K |
| 代理商： | UNR9214 |
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13
Transistors with built-in Resistor
Characteristics charts of UNR921K
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
V
IN
— I
O
Characteristics charts of UNR921L
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
0
12
2
10
4
8
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25
C
I
B
=1.2mA
1.0mA
0.2mA
0.4mA
0.6mA
0.8mA
0.01
1
3
0.1
1
10
100
10
30
100
300
1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
1
3
240
200
160
120
80
40
10
30
100
300
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=10V
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
1
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25
C
0.01
0.1
0.3
Output current I
O
(mA)
0.1
1
10
0.03
0.3
3
30
100
1
3
10
30
100
I
I
V
O
=0.2V
Ta=25
C
0
12
2
10
4
8
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25
C
I
B
=1.0mA
0.8mA
0.2mA
0.4mA
0.6mA
0.01
1
3
0.1
1
10
100
10
30
100
300
1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
1
3
240
200
160
120
80
40
10
30
100
300
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=10V
Ta=75
C
25
C
–
25
C
UNR9211/9212/9213/9214/9215/9216/9217/9218/9219/9210/921D/
921E/921F/921K/921L/921M/921N/921AJ/921BJ/921CJ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR921D | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR921E | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR921F | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR921K | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR921L | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR9214G0L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE SSMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR9214J | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type |
| UNR9214J(UN9214J) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR9214J01MT | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述: |
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