參數(shù)資料
型號: UNR921K
英文描述: TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
中文描述: 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|的SOT - 416
文件頁數(shù): 1/16頁
文件大?。?/td> 259K
代理商: UNR921K
1
Transistors with built-in Resistor
UNR9211/9212/9213/9214/9215/9216/9217/9218/9219/9210/921D/
921E/921F/921K/921L/921M/921N/921AJ/921BJ/921CJ
(UN9211/9212/9213/9214/9215/9216/9217/9218/9219/9210/921D/921E/921F/
921K/921L/921M/921N/921AJ/921BJ/921CJ)
Silicon NPN epitaxial planer transistor
For digital circuits
I
Features
G
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G
SS-Mini type package, allowing automatic insertion through tape
packing and magazine packing.
I
Resistance by Part Number
Marking Symbol
G
UNR9211
G
UNR9212
G
UNR9213
G
UNR9214
G
UNR9215
G
UNR9216
G
UNR9217
G
UNR9218
G
UNR9219
G
UNR9210
G
UNR921D
G
UNR921E
G
UNR921F
G
UNR921K
G
UNR921L
G
UNR921M
G
UNR921N
G
UNR921AJ
G
UNR921BJ
G
UNR921CJ
(R
1
)
10k
22k
47k
10k
10k
4.7k
22k
0.51k
1k
47k
47k
47k
4.7k
10k
4.7k
2.2k
4.7k
100k
100k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
5.1k
10k
10k
22k
10k
4.7k
4.7k
47k
47k
100k
47k
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8H
8I
8K
8L
8M
8N
8O
8P
8Q
EL
EX
8X
8Y
8Z
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Collector current
I
C
P
T
T
j
100
mA
Total power dissipation
125
mW
Junction temperature
125
C
Storage temperature
T
stg
–55 to +125
C
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SS–Mini Type Pakage
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
-
0
+
-
1
2
3
0.2
±
0.1
B
C
R1
R2
E
Unit: mm
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SS–Mini Flat Type Pakage (J type)
1
+
0
+
0
+
0
0
0
0
0
1.60
±
0.05
0.80
0.425 0.425
0.80
±
0.05
1
±
0
0
±
0
0.85
+0.05
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR921L TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UN9215R DC-DC converter from 5 V to 12 V, 0.03 A for Flash memory programming supply
UN9215S DC-DC converter from 5 V to 12 V, 0.03 A for Flash memory programming supply
UN9216Q TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UN9216R ST72321 - 8-BIT MCU WITH NESTED INTERRUPTS, FLASH,10-BIT ADC, FIVE TIMERS, SPI, SCI, I2C INTERFACE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR921KG0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 20HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921KJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921KJ(UN921KJ) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR921KJ0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 20 HFE SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242