參數(shù)資料
型號(hào)： UNR521W
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： UNR521W
Transistors with built-in Resistor
Publication date: December
2004
SJH
00111
AED
1
UNR521W
Silicon NPN epitaxial planar type
For digital circuits
Features
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of
the number of parts
SMini type package allowing easy automatic insertion through tape packing
Absolute Maximum Ratings
T
=
25
a
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
mA
Total power dissipation
P
T
150
mW
Junction temperature
T
j
T
150
°
C
Storage temperature
stg
T
–
55
to +
150
°
C
Electrical Characteristics
T
=
25
a
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
=
10
C
μ
A, I
=
0
E
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
=
2
mA, I
C
B
=
0
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
V
CB
=
50
V, I
=
0
E
0
.
1
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
V
=
50
V, I
CE
B
=
0
0
.
5
μ
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
V
EB
=
6
V, I
=
0
C
100
μ
A
Forward current transfer ratio
FE
h
V
=
10
V, I
CE
=
5
mA
C
80
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
=
10
mA, I
C
B
=
0
.
3
mA
0
.
25
V
Input resistance
2
R
—
30
%
100
+
30
%
k
Transition frequency
f
T
f
V
CB
=
10
V, I
=
—
2
mA, f =
200
MHz
E
100
MHz
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C
7030
measuring methods for transistors.
Unit: mm
1: Base
2: Emitter
3: Collecter
SMini3-G1 Package
2
±
0
1.3
±
0.1
0.3
+0.1
2.0
±
0.2
1
±
0
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
0
±
0
0
0
+
–
0.15
+0.10
5
10°
Marking Symbol:
9
F
Internal Connection
B
R
(100 k
)
C
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UP-RW1245P1 Valve Regulated Lead-Acid Batteries
UP01213 Silicon NPN epitaxial planar type
UP03312 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1), Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
UP03390 Silicon NPN epitaxial planar type
UP03396 Silicon NPN, PNP epitaxial planar type (Tr1,2)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR521W00L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR521WG0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80HFE SMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR521XSERIES(UN521XSERIES) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UNR521X Series (UN521X Series) - NPN Transistors with built-in Resistor
UNR521Z 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR521Z(UN521Z) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
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