參數(shù)資料
型號： UP01213
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI5-F2, 5 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： UP01213
1
Publication date: August 2004
SJJ00298AED
Composite Transistors
UP01213
Silicon NPN epitaxial planar type
For digital circuits
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
UNR1213
×
2
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Internal Connection
Marking Symbol: 9L
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
50
V
Collector current
100
mA
Total power dissipation
P
T
125
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Tr1
Tr2
R2
(47 k
)
R2
(47 k
)
R1
(47 k
)
R1
(47 k
)
1
(B1)
2
(E)
3
(B2)
(C2)
4
(C1)
5
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
1: Base (Tr1)
2: Emitter
3: Base (Tr2)
4: Collector (Tr2)
5: Collector (Tr1)
SSMini5-F2 Package
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
CBO
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
0.5
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE
0.1
mA
Forward current transfer ratio
80
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.25
V
Output voltage high-level
V
OH
V
OL
4.9
V
Output voltage low-level
0.2
V
Input resistance
R
1
30%
47
+
30%
k
Resistance ratio
R
1
/ R
2
f
T
0.8
1.0
1.2
Transition frequency
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
150
MHz
–0.02
0.20
(0.30)
(0.50)
1
2
3
5
4
(0.50)
0
±
0
0
0
1.00
±
0.05
1.60
±
0.05
0.10
±
0.02
Display at No.1 lead
(
5
5
1
±
0
1
±
0
(
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PDF描述
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參數(shù)描述
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