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參數(shù)資料
| 型號： | UNR521DR |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 552K |
| 代理商： | UNR521DR |
UNR521x Series
12
SJH00024CED
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
Cob VCB
VIN IO
Characteristics charts of UNR521K
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
0
10 1
6
5
4
3
2
1
110
102
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
1
0.4
10
102
103
104
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Input
voltage
V
IN
(V)
Output current I
O (mA)
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
012
210
48
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB = 1.2 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
1.0 mA
10 2
1
10 1
1
10
102
10
102
103
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
102
103
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
102
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Input
voltage
V
IN
(V)
Output current I
O (mA)
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR6115 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UNR6116 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UP0.4C-4R7 | 1 ELEMENT, 4.95 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-330 | 1 ELEMENT, 32.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-1R0 | 1 ELEMENT, 1.16 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR521E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR521E(UN521E) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR521E00L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 60 HFE S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR521F | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
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