參數(shù)資料
型號： UNR5112(UN5112)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁數(shù)： 9/18頁
文件大小： 634K
代理商： UNR5112(UN5112)
17
Transistors with built-in Resistor
Characteristics charts of UNR511Z
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
0
–1
6
5
4
3
2
1
–10
–100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
–1
– 0.4
–10
–100
–1000
–10000
–1.4
–1.2
–1
– 0.8
– 0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO= – 5V
Ta=25C
–0.01
– 0.1
–1
–10
–100
–1
–10
–100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO= – 0.2V
Ta=25C
0
–12
– 2
–10
– 4
– 8
– 6
– 50
–150
–100
– 200
–175
–125
–75
– 25
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB= –1.0mA
– 0.7mA
– 0.8mA
– 0.9mA
– 0.6mA
– 0.5mA
– 0.4mA
– 0.3mA
– 0.2mA
– 0.1mA
–0.01
–1
– 0.1
–1
–10
–100
–1000
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
–25C
0
–1
300
250
200
150
100
50
–10
–100
–1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE= –10V
Ta=75C
25C
– 25C
UNR5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/
511D/511E/511F/511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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