參數(shù)資料
型號： UNR5114(UN5114)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁數(shù)： 1/18頁
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代理商： UNR5114(UN5114)
1
Transistors with built-in Resistor
UNR5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/
511D/511E/511F/511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z
(UN5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/511D/511E/511F/
511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For digital circuits
I Features
G Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G S-Mini type package, allowing automatic insertion through tape
packing and magazine packing.
I Resistance by Part Number
Marking Symbol
(R1)(R2)
G UNR5111
6A
10k
10k
G UNR5112
6B
22k
22k
G UNR5113
6C
47k
47k
G UNR5114
6D
10k
47k
G UNR5115
6E
10k
—
G UNR5116
6F
4.7k
—
G UNR5117
6H
22k
—
G UNR5118
6I
0.51
5.1k
G UNR5119
6K
1k
10k
G UNR5110
6L
47k
—
G UNR511D
6M
47k
10k
G UNR511E
6N
47k
22k
G UNR511F
6O
4.7k
10k
G UNR511H
6P
2.2k
10k
G UNR511L
6Q
4.7k
4.7k
G UNR511M
EI
2.2k
47k
G UNR511N
EW
4.7k
47k
G UNR511T
EY
22k
47k
G UNR511V
FC
2.2k
2.2k
G UNR511Z
FE
4.7k
22k
I Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
1 : Base
2 : Emitter
EIAJ : SC–70
3 : Collector
SMini3-G1 Package
Unit: mm
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
–50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
–50
V
Collector current
IC
–100
mA
Total power dissipation
PT
150
mW
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C
2.1
±0.1
1.3±0.1
0.3
+0.1
–0.0
2.0±0.2
1.25
±0.10
(0.425)
1
3
2
(0.65) (0.65)
0.2
±0.1
0.9
±0.1
0
to
0.1
0.9
+0.2 –0.1
0.15
+0.10
–0.05
5°
10
°
B
C
R1
R2
E
Note) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR5115(UN5115) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR511M(UN511M) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR511N(UN511N) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR511T(UN511T) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR511V(UN511V) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR5115 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR5115(UN5115) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR511500L 功能描述:TRANS PNP W/RES 160HFE S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR5115G0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 160HFE SMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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