參數(shù)資料
型號(hào)： UNR2226(UN2226)
英文描述： UNR2226 (UN2226) - NPN Transistor with built-in Resistor
中文描述： UNR2226（UN2226） - npn型內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁(yè)數(shù)： 3/17頁(yè)
文件大小： 280K
代理商： UNR2226(UN2226)
UNR22XX Series
3
SJH00010BED
I
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Resis-
UNR2211/2212/2213/221L
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
tance
UNR2214
0.17
0.21
0.25
ratio
UNR2218/2219
0.08
0.1
0.12
UNR221D
4.7
UNR221E
2.14
UNR221F/221T
0.47
UNR221K
2.13
UNR221M
0.047
UNR221N
0.1
UNR221V
1.0
UNR221Z
0.21
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
T
T
a
0
50
100
150
200
250
0
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
40
80
60
140
120
100
160
T
T
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
0
60
50
40
30
20
10
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.7 0.0.0.4 mA
0.90.8 mA
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
100
200
300
400
350
250
150
50
10
30
100
300
1
000
F
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Common characteristics chart
Characteristics charts of UNR2210
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR2224(UN2224) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
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UNR2221(UN2221) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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