參數(shù)資料
型號： UNR221Z(UN221Z)
英文描述： 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
中文描述： 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
文件頁數(shù)： 16/17頁
文件大?。?/td> 280K
代理商： UNR221Z(UN221Z)
UNR22XX Series
16
SJH00010BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
100
1
000
10
000
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
140
100
60
20
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.7 mA
0.4 mA
0.9 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.01
1
0.1
1
10
10
100
1
000
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
480
400
320
240
160
80
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
100
1
000
10
000
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
Characteristics charts of UNR221Z
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PDF描述
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