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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR212Y(UN212Y) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | UNR212Y(UN212Y) |
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3
Transistors with built-in Resistor
UNR2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
I
Electrical Characteristics (continued)
(Ta=25C)
Parameter
UNR2111/2112/2113/211L
Symbol
Conditions
min
0.8
typ
1.0
max
1.2
Unit
UNR2114
0.17
0.21
0.25
UNR2118/2119
0.08
0.1
0.12
UNR211D
4.7
UNR211E
2.14
UNR211F/211T
R
1
/R
2
0.47
UNR211H
0.17
0.22
0.27
UNR211M
0.047
UNR211N
0.1
UNR211V
1.0
UNR211Z
0.21
Resis-
tance
ratio
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UNR2154(UN2154) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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