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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR121F(UN121F) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/14頁(yè) |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | UNR121F(UN121F) |
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2003 SEP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR121K(UN121K) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR121L(UN121L) | 12 A Snubberless", logic level and standard triacs |
| UNR1215(UN1215) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR121K | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR121K(UN121K) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR121L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR121L(UN121L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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