- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361571 > UNR1216(UN1216) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UNR1216(UN1216) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 1/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | UNR1216(UN1216) |
1
: 2003
10
SJH00003BJD
UNR121x
(UN121x
)
NPN
■
M
,
,
, P
■
(R
1
)
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
10 k
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
4.7 k
4.7 k
UNR1210 (UN1210)
UNR1211 (UN1211)
UNR1212 (UN1212)
UNR1213 (UN1213)
UNR1214 (UN1214)
UNR1215 (UN1215)
UNR1216 (UN1216)
UNR1217 (UN1217)
UNR1218 (UN1218)
UNR1219 (UN1219)
UNR121D (UN121D)
UNR121E (UN121E)
UNR121F (UN121F)
UNR121K (UN121K)
UNR121L (UN121L)
■
T
a
=
25
°
C
)
( )
,
Unit : mm
2.5
±
0.1
(1.0)
(
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
M-A1 Package
6.9
±
0.1
(1.5)
(0.85)
0.55
±
0.1
0.45
±
0.05
(2.5)
(2.5)
2
1
3
R 0.7
R 0.9
(
3
±
0
4
±
0
4
±
0
2
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
(1.5)
(E
)
V
CBO
50
V
(B
)
V
CEO
I
C
50
V
100
mA
P
T
400
mW
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
55
～
+
150
B
R
1
R
2
C
E
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR1217(UN1217) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR1218(UN1218) | High efficiency ultrafast diode |
| UNR121XSERIES(UN121XSERIES) | Sensitive 4Q 4A TRIAC |
| UNR1221 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71 |
| UNR1221(UN1221) | Digital controlled stereo audio processor with loudness |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR1217 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR1217(UN1217) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR1217Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR1217R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。