參數(shù)資料
型號(hào)： UNR1216(UN1216)
英文描述： 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
中文描述： 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大?。?/td> 454K
代理商： UNR1216(UN1216)
5
UNR121x
SJH00003BJD
UNR1213
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
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1.2
1.0
0.8
0.6
O
μ
A
V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
C
V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
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0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
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=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
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1
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f
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25
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C
V
CB
(V)
(
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1
0.4
10
10
2
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10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
O
μ
A
V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
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100
1
10
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I
I
O
(mA)
V
O
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T
a
=
25
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