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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR1119(UN1119) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 543K |
| 代理商： | UNR1119(UN1119) |
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1
: 2003
10
SJH00001BJD
UNR111x
(UN111x
)
PNP
■
M
,
,
, P
■
(R
1
)
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
UNR1110 (UN1110)
UNR1111 (UN1111)
UNR1112 (UN1112)
UNR1113 (UN1113)
UNR1114 (UN1114)
UNR1115 (UN1115)
UNR1116 (UN1116)
UNR1117 (UN1117)
UNR1118 (UN1118)
UNR1119 (UN1119)
UNR111D (UN111D)
UNR111E (UN111E)
UNR111F (UN111F)
UNR111H (UN111H)
UNR111L (UN111L)
■
T
a
=
25
°
C
)
( )
,
B
R
1
R
2
C
E
Unit : mm
2.5
±
0.1
(1.0)
(
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
M-A1 Package
6.9
±
0.1
(1.5)
(0.85)
0.55
±
0.1
0.45
±
0.05
(2.5)
(2.5)
2
1
3
R 0.7
R 0.9
(
3
±
0
4
±
0
4
±
0
2
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
(1.5)
(E
)
V
CBO
50
50
100
V
(B
)
V
CEO
I
C
V
mA
P
T
400
mW
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
55
～
+
150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR111D(UN111D) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR111E(UN111E) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR111F(UN111F) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR111H(UN111H) | ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| UNR112Y | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR111D | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR111D(UN111D) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR111E | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR111E(UN111E) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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