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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR1110S |
| 英文描述： | Low-density access line, ARM-based 32-bit MCU with 16 or 32 KB Flash, 5 timers, ADC and 4 communication interfaces |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 71 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/14頁(yè) |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | UNR1110S |
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12
UNR111x
SJH00001BJD
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
UNR111H
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
UNR111L
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
0
12
2
10
V
CE
(V)
4
8
6
120
100
80
60
40
20
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
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0.1 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
I
C
(mA)
1
000
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
240
200
160
120
80
40
1
10
100
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
–12
–2
–10
V
CE
(V)
–4
–8
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240
200
160
120
80
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C
T
a
=
25
°
C
I
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=
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0.2 mA
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1
0.1
1
10
100
10
100
I
C
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1
000
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
I
C
(mA)
1
000
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR1111(UN1111) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1118(UN1118) | Low voltage 16-bit, constant current LED sink driver |
| UNR1119(UN1119) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR111D(UN111D) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR111E(UN111E) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR1111 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR1111(UN1111) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1112 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR1112(UN1112) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
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