參數(shù)資料
型號： UMG4N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose (dual digital transistors)
中文描述： 通用（雙數(shù)字晶體管）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 84K
代理商： UMG4N
EMG4 / UMG4N / FMG4A
Transistors
General purpose (dual digital transistors)
Rev.A
1/2
EMG4 / UMG4N / FMG4A
z
Features
1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT
package.
z
Equivalent circuits
EMG4 / UMG4N
R
1
R
1
=
10k
R
1
=
10k
R
1
FMG4A
R
1
R
1
(1)
(3)
(2)
(4)
(5)
(5)
(3)
(4)
(2)
(1)
z
Package, marking, and packaging specifications
Type
Package
Marking
Code
EMG4
EMT5
G4
T2R
8000
UMG4N
UMT5
G4
TR
3000
FMG4A
SMT5
G4
T148
3000
Basic ordering unit (pieces)
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pd
Tj
Tstg
Limits
50
50
5
100
300(TOTAL)
150
55
to
+
150
150(TOTAL)
EMG4 / UMG4N
FMG4A
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1 120mW per element must not be exceeded.
2 200mW per element must not be exceeded.
1
2
z
External dimensions
(Unit : mm)
Each lead has same dimensions
ROHM : EMT5
EMG4
UMG4N
Each lead has same dimensions
0
0
0
0.1Min.
0
2.1
1
0
0
2
(
(
(
0
1.25
(
(
ROHM : UMT5
FMG4A
Each lead has same dimensions
0
1
0
0.3Min.
0
1.6
2.8
2
0
1
(
(
(
0
(
0
(
ROHM : SMT5
EIAJ : SC-74A
0
1.2
1.6
(1)
(2)
(3)
(5)
(4)
0
0
0
0
1
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UMG5N Emitter common (dual digital transistors)
UMG6N Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發(fā)射級(雙數(shù)字晶體管))
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UMG8N Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發(fā)射級(雙數(shù)字晶體管))
UMG9N Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發(fā)射級(雙數(shù)字晶體管))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UMG4N-7 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 150mW 100mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMG4NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 100MA SOT-353 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMG5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-25VAR
UMG5N 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPNx2 SM DIGITAL TRANSISTOR UMT5 / 6 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPNx2 SM DIGITAL TRANSISTOR UMT5 / 6 - free partial T/R at 500. 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semiconductor(Discrete),UMG5NTR,Transis
UMG5NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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