參數(shù)資料
型號(hào)： UMG9N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發(fā)射級(jí)(雙數(shù)字晶體管))
中文描述： 發(fā)射極普通（雙數(shù)字晶體管）（公共發(fā)射級(jí)（雙數(shù)字晶體管））
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： UMG9N
(96-415-C114E)
External dimensions (Units: mm)
541
Transistors
Emitter common
(dual digital transistors)
UMG9N / FMG9A
Features
1) Two DTC114E in a UMT or SMT
package.
2) Mounting cost and area can be cut
in half.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
(Built-in resistor type)
The following characteristics apply to
both DTr
1
and DTr
2
.
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UMH10N 2-WIRE FACTORY PROGRAMMED W/TIN PLATING
UMH11N General purpose (dual digital transistors)
UMH1N General purpose (dual digital transistors)
UMH5N General purpose (dual digital transistors)
UMH4N General purpose (dual digital transistors)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UMG9NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 50MA SOT-353 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMH1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SO
UMH10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
UMH10N 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPNx2 SMD (Surface Mount) Transistor UMT5 / 6 150mW 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPNx2 SMD (Surface Mount) Transistor UMT5 / 6 150mW - free partial T/R at 500. 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semiconductor(Discrete),UMH10NTN,Transi
UMH10NTN 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NPN 50V 100MA SOT-363 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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