參數(shù)資料
型號(hào): ULQ2003ATDRQ1
廠商: Texas Instruments
文件頁數(shù): 3/17頁
文件大小: 0K
描述: IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
類型: 達(dá)林頓晶體管矩陣
驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù): 7/0
電源電壓: 6 V ~ 15 V
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-SOIC N
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1010 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 296-14395-6
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal
Device
Package
Type
Package
Drawing
Pins
SPQ
Reel
Diameter
(mm)
Reel
Width
W1 (mm)
A0
(mm)
B0
(mm)
K0
(mm)
P1
(mm)
W
(mm)
Pin1
Quadrant
ULQ2003AQDRQ1
SOIC
D
16
2500
330.0
16.4
6.5
10.3
2.1
8.0
16.0
Q1
ULQ2003ATPWRQ1
TSSOP
PW
16
2500
330.0
12.4
6.9
5.6
1.6
8.0
12.0
Q1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
13-Dec-2013
Pack Materials-Page 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PIC16C56-HSE/P IC MCU OTP 1KX12 18DIP
PIC16C56-10E/SS IC MCU OTP 1KX12 20SSOP
PIC16C56-10E/SO IC MCU OTP 1KX12 18SOIC
PIC16C56-10E/P IC MCU OTP 1KX12 18DIP
PIC16C55T-XT/SS IC MCU OTP 512X12 28SSOP
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參數(shù)描述
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ULQ2003ATDRYZ 制造商:Texas Instruments 功能描述:
ULQ2003ATPWRQ1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003D1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003D1013TR 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel